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Maison Produitspuce de circuit intégré

Puce K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X de circuit intégré 4 banques SDRAM mobile dans 90FBGA

Puce K4M513233C-DN75 4M x 32Bit X de circuit intégré 4 banques SDRAM mobile dans 90FBGA

    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
  • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

    Détails sur le produit:

    Lieu d'origine: Corée
    Nom de marque: SAMSUNG
    Certification: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
    Numéro de modèle: K4M513233C-DN75

    Conditions de paiement et expédition:

    Quantité de commande min: 1
    Prix: Contact for Sample
    Détails d'emballage: Contact pour l'échantillon
    Délai de livraison: Stock
    Conditions de paiement: T/T à l'avance, Paypal, Western Union
    Capacité d'approvisionnement: 9600
    Contactez maintenant
    Description de produit détaillée
    Paquet: 90FBGA marque: SAMSUNG
    alimentation d'énergie.: • 3.0V et 3.3V Opération commerciale de la température: (- 25°C | 70°C).

    Détail rapide :

    4M x 32Bit X 4 banques SDRAM mobile dans 90FBGA

    Description :

    Le K4M513233C est débit 536 870 912 élevé synchrone de bits RAM dynamique organisé en tant que 4 x 4 196 304 mots par 32 bits, fabriqués avec la technologie de la haute performance CMOS de SAMSUNG. La conception synchrone permet le contrôle précis de cycle avec l'utilisation de l'horloge système et les transactions d'entrée-sortie sont possibles sur chaque rhythme. La gamme des fréquences d'opération, les longueurs programmables d'éclat et les latences programmables permettent au même dispositif d'être utile pour un grand choix d'applications élevées de système mémoire de largeur de bande et de haute performance

     

    Applications :

    •  alimentation de l'énergie 3.0V et 3.3V.

    •  LVCMOS compatible avec l'adresse multiplexée.

    •  Opération de quatre banques.

    •  MME cycle avec des programmes d'e-mail de référence.

         -. Latence de CAS (1, 2 et 3).

         -. Longueur d'éclat (1, 2, 4, 8 et feuillet plein).

         -. Type d'éclat (séquentiel et imbrication).

    •  Cycle d'EMRS avec des programmes d'e-mail de référence.

    •  Toutes les entrées sont prélevées au bord allant positif du système

        horloge.

    •  L'éclat a lu à bit unique écrivent l'opération.

    •  Appui de fonction spéciale.

         -. PASR (l'individu partiel de rangée régénèrent).

         -. TCSR interne (l'individu à température compensée régénèrent)   

    •   DQM pour le masquage.

    •  L'automobile régénèrent.

    •  64ms régénèrent la période (cycle 8K).

    •  Opération commerciale de la température (- 25°C | 70°C).

    •  Opération prolongée de la température (- 25°C | 85°C).

    •  90Balls FBGA

    Caractéristiques :

    numéro de la pièce.

    K4M513233C-DN75

    Fabricant

    SAMSUNG

    capacité d'approvisionnement

    1920

    datecode

    07+

    paquet

    BGA

    remarque

    nouvelles et originales actions

     

    NUMÉRO DE LA PIÈCE Quantité MFG Paquet
    MC74HC595ADTR2G 10000 SUR TSSIP
    MC74HC165ADTR2G 7800 SUR TSSOP
    LM4871MM 4000 NS MSOP
    ADXL335BCPZ 22000 ANNONCE LFCSP-16
    PIC16F648A I/P 30000 PUCE IMMERSION
    88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
    DF08M 45000 SEPT IMMERSION
    FR9618SPCTR 10000 Franc SOP-8

    Avantage compétitif :

     

     L'électronique méga de source stocke des composants prêts à se transporter. Trouver dur, les circuits intégrés et les semi-conducteurs obsolètes et fortement assignés sont tous peuvent être trouvés par nous.

    L'électronique méga de source a établi un système bien développé de logistique et un réseau global de logistique, qui peuvent garantir notre service très rapide, commode et efficace.

     

     

    Coordonnées
    Mega Source Elec.Limited

    Personne à contacter: Ms. Tara Chan

    Téléphone: 86-755-83690382

    Télécopieur: 86-755-61624128

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