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MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistors à effet de champ de puissance de rf (transistors MOSFET de partie latérale de N−Channel Enhancement−Mode

MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistors à effet de champ de puissance de rf (transistors MOSFET de partie latérale de N−Channel Enhancement−Mode

MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Semi-conducteur de Freescale
Nom de marque: MOT
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: MRF9080LR3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 50
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Contact pour l'échantillon
Délai de livraison: au sein de la traversée
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 5000
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Description de produit détaillée

Détail rapide :
MRF9080LR3 - Freescale Semiconductor, Inc - transistors à effet de champ de puissance de rf (transistors MOSFET latéraux de N−Channel Enhancement−Mode)

Description :

Conçu pour le GSM la bande de fréquence de 900 mégahertz, l'à gain élevé et à bande large
la représentation de ces dispositifs leur font l'idéal pour le large−signal, common−
applications d'amplificateur de source dans l'équipement de station de base de 26 volts.


Applications :

• Représentation typique pour les fréquences de GSM, 921 à 960 mégahertz, 26 volts
@ P1db de puissance de sortie : 75 watts
Gain en puissance @ P1db : DB 18,5
Efficacité @ P1db : 55%
• Q intérieurement assorti et commandé, pour la facilité d'utilisation
• Rendement à gain élevé et élevé et linéarités élevées
• Protection intégrée d'ESD
• Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
• Capable de manipuler le 5:1 VSWR, @ 26 volts continu, 921 mégahertz, 90 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
• Excellente stabilité thermique
• Caractérisé avec des paramètres équivalents d'impédance de Large−Signal de série
• Disponible avec la basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique
nominal du ″ 40µ.
• Dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités par 56 millimètres, bobine de 13 pouces


Caractéristiques :

Fiches techniques

Série MRF9080

Forfait standard

250

Catégorie

Produits semiconducteurs discrets

Famille

FETs de rf

Série

-

Empaquetage

Bande et bobine (TR)

Type de transistor

LDMOS

Fréquence

960MHz

Gain

18.5dB

Tension - essai

26V

Estimation actuelle

10µA

Chiffre de bruit

-

Actuel - essai

600mA

Puissance de sortie

75W

Tension - évaluée

65V

Paquet/cas

NI-780

Paquet de dispositif de fournisseur

NI-780




Avantage compétitif :

Garantie : 180days pour toutes les marchandises
Expédition libre : Ordre plus de victoire $600 des honoraires libres d'expédition : les marchandises pèsent au-dessous de 3Kg.
L'électronique méga de source stocke des composants prêts à se transporter. Trouver dur, les circuits intégrés et les semi-conducteurs obsolètes et fortement assignés sont tous peuvent être trouvés par nous.
L'électronique méga de source a établi un système bien développé de logistique et un réseau global de logistique, qui peuvent garantir notre service très rapide, commode et efficace.

Étiquette :
MRF9080LSR3

Coordonnées
Mega Source Elec.Limited

Personne à contacter: savvy

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