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Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA de NPN PNP - haute tension IGBT avec la diode

Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA de NPN PNP - haute tension IGBT avec la diode

NPN PNP Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA - High Voltage IGBT with Diode

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: PHILIPPIN
Nom de marque: TOSHIBA
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IXSN35N120U1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 50
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Contact pour l'échantillon
Délai de livraison: au sein de la traversée
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 5000
Contactez maintenant
Description de produit détaillée

 

Détail rapide :

 

Haute tension IGBT avec la diode

 

 

Description :

 

VCES = 1200 V

IC25 = 70 A

VCE (reposé) = 4 V

 

 

Applications :

 

BLOC de forfait standard international de ● mini (ISOTOP) compatible

isolement d'Aluminium-nitrure de ●

- dissipation de puissance élevée

Tension 3000 V~ d'isolement de ●

● bas VCE (reposé)

- pour des pertes minimum de conduction de sur-état

Diode rapide de RecoveryEpitaxial de ●

- trr court et IRM

Basse capacité de collecteur-à-cas de ● (< 50="" pF="">

- reducesd IFR

Basse inductance de paquet de ● (< 10="" nH="">

- facile à conduire et se protéger

 

 

Caractéristiques :

 

numéro de la pièce.

IXSN35N120U1

Fabricant

TOSHIBA

capacité d'approvisionnement

10000

datecode

10+

paquet

MODULE

remarque

nouvelles et originales actions

 

 

Avantage compétitif :

 

Garantie : 180 jours !
Expédition libre : Ordre plus de victoire $1000 des honoraires libres d'expédition
(poids de marchandises au-dessous de 3Kg), pendant le 20130901-20130930.


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Coordonnées
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