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Transistors de puissance de rf MRF21045LR3 - Motorola, Inc - transistors à effet de champ de puissance de rf

Transistors de puissance de rf MRF21045LR3 - Motorola, Inc - transistors à effet de champ de puissance de rf

RF Power Transistors MRF21045LR3 - Motorola, Inc - RF Power Field Effect Transistors

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: PHILIPPIN
Nom de marque: Motorola, Inc
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: MRF21045LR3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 50
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Contact pour l'échantillon
Délai de livraison: au sein de la traversée
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 5000
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Description de produit détaillée

 

Détail rapide :

 

Transistors à effet de champ de puissance de rf

 

 

Description :

 

Conçu pour des applications de station de base de W-CDMA avec les fréquences à partir de 2110 à 2170 mégahertz. Approprié à TDMA, à CDMA et à applications multicarrier d'amplificateur. Pour être employé dans la classe ab pour le PCN - la radio de PCS/cellular et des applications

 

 

Applications :

 

• 2 représentation typique du transporteur W-CDMA pour VDD = 28 volts, IDQ = 500 mA,

f1 = 2135 mégahertz, F2 = 2145 mégahertz, largeur de bande de la Manche = 3,84 mégahertz, canaux adjacents mesurés plus de largeur de bande de 3,84 mégahertz à f1 -5 mégahertz et F2 +5 mégahertz, produits de déformation mesurés au-dessus d'une largeur de bande de 3,84 mégahertz à f1 -10 mégahertz et F2 +10 mégahertz, crête/Avg. = DB 8,3 @ 0,01% probabilités sur CCDF.

Ó de puissance de sortie 10 watts d'Avg.

Ó 23,5% d'efficacité

DB du ó 15 de gain

IM3 dBc du ó -37,5

DBc du ó -41 d'ACPR

• Q intérieurement assorti et commandé, pour la facilité d'utilisation

• Rendement à gain élevé et élevé et linéarités élevées

• Protection intégrée d'ESD

• Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion

• Capable de manipuler le 5:1 VSWR, @ 28 volts continu, 2170 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue de puissance de sortie

• Excellente stabilité thermique

• Caractérisé avec des paramètres équivalents d'impédance de Grand-Signal de série

• Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances, nominal du ″ 40µ.

• Dans la bande et la bobine. Suffixe R3 = 250 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.

 

 

Caractéristiques :

 

Fiches techniques

Série MRF21045

Obsolescence de PCN

Dispositifs RF 01/Jul/2010

Forfait standard

250

Catégorie

Produits semiconducteurs discrets

Famille

FETs de rf

Série

-

Empaquetage

Bande et bobine (TR)

Type de transistor

LDMOS

Fréquence

2.16GHz

Gain

15dB

Tension - essai

28V

Estimation actuelle

10µA

Chiffre de bruit

-

Actuel - essai

500mA

Puissance de sortie

10W

Tension - évaluée

65V

Paquet/cas

NI-400

Paquet de dispositif de fournisseur

NI-400-240

 

 

Avantage compétitif :

 

Garantie : 180 jours !
Expédition libre : Ordre plus de victoire $1000 des honoraires libres d'expédition
(poids de marchandises au-dessous de 3Kg), pendant le 20130901-20130930.


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