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Module d'alimentation d'IGBT MBM50F12 - TOSHIBA - N-canal IGBT de silicium

Module d'alimentation d'IGBT MBM50F12 - TOSHIBA - N-canal IGBT de silicium

IGBT Power Module MBM50F12 - TOSHIBA - Silicon N-channel IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: PHILIPPIN
Nom de marque: TOSHIBA
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: MBM50F12

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 50
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Contact pour l'échantillon
Délai de livraison: au sein de la traversée
Conditions de paiement: T/T à l'avance, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 5000
Contactez maintenant
Description de produit détaillée

Détail rapide :

 

N-canal IGBT de silicium

 

 

Description :

 

N-canal IGBT de silicium

 

 

Applications :

 

* Module à grande vitesse et bas de la perte IGBT.

* Basse puissance d'entraînement due à la basse porte de MOS de capacité d'entrée.

* En raison à faible bruit de la diode rapide ultra molle de récupération.

* Fiabilité élevée, haut module de longévité.

* Longévité thermique élevée de fatigue (embase d'Al-SIC.)

(delta Tc=70°C, N>30,000cycles)

 

 

Caractéristiques :

 

numéro de la pièce.

MBM50F12

Fabricant

TOSHIBA

capacité d'approvisionnement

10000

datecode

10+

paquet

MODULE

remarque

nouvelles et originales actions

 

 

Avantage compétitif :

 

Garantie : 180days pour toutes les marchandises

Expédition libre : Ordre plus de victoire $600 des honoraires libres d'expédition : les marchandises pèsent au-dessous de 3Kg.

L'électronique méga de source stocke des composants prêts à se transporter. Trouver dur, les circuits intégrés et les semi-conducteurs obsolètes et fortement assignés sont tous peuvent être trouvés par nous.

L'électronique méga de source a établi un système bien développé de logistique et un réseau global de logistique, qui peuvent garantir notre service très rapide, commode et efficace.

Coordonnées
Mega Source Elec.Limited

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